阿托斯壓差傳感器與壓力傳感器的區(qū)別
區(qū)別：
1、測量的參數(shù)不同：壓差傳感器測量相對壓力，即兩個部位的壓力差。壓力傳感器測量對壓力。
2、接口不同：壓差傳感器有兩個輸入管口分別用于連接兩個測點；壓力傳感器只有一個連接管口。
分類
多傳感器信息融合技術的基本原理就像人的大腦綜合處理信息的過程一樣，將各種傳感器進行多層次、多空間的信息互補和優(yōu)化組合處理，終產生對觀測環(huán)境的一致性解釋。在這個過程中要充分地利用多源數(shù)據(jù)進行合理支配與使用，而信息融合的終目標則是基于各傳感器獲得的分離觀測信息，通過對信息多級別、多方面組合導出更多有用信息。這不僅是利用了多個傳感器相互協(xié)同操作的優(yōu)勢，而且也綜合處理了其它信息源的數(shù)據(jù)來提高整個傳感器系統(tǒng)的智能化壓力傳感器是使用為廣泛的一種傳感器。傳統(tǒng)的壓力傳感器以機械結構型的器件為主，以彈性元件的形變指示壓力，但這種結構尺寸大、質量重，不能提供電學輸出。隨著半導體技術的發(fā)展，半導體壓力傳感器也應運而生。其特點是體積小、質量輕、準確度高、溫度特性好。特別是隨著MEMS技術的發(fā)展，半導體傳感器向著微型化發(fā)展，而且其功耗小、可靠性高。
擴散硅壓力變送器
擴散硅壓力變送器是把帶隔離的硅壓阻式壓力敏感元件封裝于不銹鋼殼體內制作而成。它能將感受到的液體或氣體壓力轉換成標準的電信號對外輸出，DATA-52系列擴散硅壓力變送器廣泛應用于供/排水、熱力、石油、化工、冶金等工業(yè)過程現(xiàn)場測量和控制。
擴散硅壓力變送器DATA-52系列
擴散硅壓力變送器DATA-52系列
擴散硅壓力變送器DATA-52系列
擴散硅壓力變送器DATA-52系列
性能指標：
測量介質：液體或氣體（對不銹鋼殼體無腐蝕）
量程：0-10MPa
精度等級：0.1%FS、0.5%FS（可選）
穩(wěn)定性能：±0.05%FS/年；±0.1%FS/年
輸出信號：RS485、4~20mA（可選）
過載能力：150%FS
零點溫度系數(shù)：±0.01%FS/℃
滿度溫度系數(shù)：±0.02%FS/℃
防護等級：IP68
環(huán)境溫度：-10℃～80℃
存儲溫度：-40℃～85℃
供電電源：9V～36V DC；
結構材料：外殼：不銹鋼1Cr18Ni9Ti
密封圈：氟橡膠
膜片：不銹鋼316L
電纜：φ7.2mm聚氨酯電纜
半導體壓電阻型
半導體壓電阻抗擴散壓力傳感器是在薄片表面形成半導體變形壓力，通過外力（壓力）使薄片變形而產生壓電阻抗效果，從而使阻抗的變化轉換成電信號。
靜電容量型
靜電容量型壓力傳感器，是將玻璃的固定極和硅的可動極相對而形成電容，將通過外力（壓力）使可動極變形所產生的靜電容量的變化轉換成電氣信號。 （E8Y的動作原理便是靜電容量方式，其他機種采用半導體方式）。
壓力傳感器工作原理
1 、應變片壓力傳感器原理
力學傳感器的種類繁多，如電阻應變片壓力傳感器、半導體應變片壓力傳感器、壓阻式壓力傳感器、電感式壓力傳感器、電容式壓力傳感器、諧振式壓力傳感器及電容式加速度傳感器等。
電阻應變片是一種將被測件上的應變變化轉換成為一種電信號的敏感器件。電阻應變片應用多的是金屬電阻應變片和半導體應變片兩種。通常是將應變片通過特殊的粘和劑緊密的粘合在產生力學應變基體上，當基體受力發(fā)生應力變化時，電阻應變片也一起產生形變，使應變片的阻值發(fā)生改變，從而使加在電阻上的電壓發(fā)生變化。一般這種應變片都組成應變電橋，并通過后續(xù)的儀表放大器進行放大，再傳輸給處理電路(通常是A/D 轉換和CPU )顯示或執(zhí)行機構。
2 、陶瓷壓力傳感器原理
陶瓷壓力傳感器  壓力直接作用在陶瓷膜片的前表面，使膜片產生微小的形變，厚膜電阻印刷在陶瓷膜片的背面，連接成一個惠斯通電橋(閉橋)，由于壓敏電阻的壓阻效應，使電橋產生一個與壓力成正比的電壓信號。
3 、擴散硅壓力傳感器原理
工作原理：被測介質的壓力直接作用于傳感器的膜片上(不銹鋼或陶瓷)，使膜片產生與介質壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發(fā)生變化， 用電子線路檢測這一變化，并轉換輸出一個對應于這一壓力的標準測量信號。
4 、藍寶石壓力傳感器
利用應變電阻式工作原理，采用硅- 藍寶石作為半導體敏感元件，具有良好的計量特性。
5 、壓電壓力傳感器原理
壓電傳感器中主要使用的壓電材料包括有石英、酒石酸鉀鈉和磷酸二氫胺。其中石英(二氧化硅)是一種天然晶體，壓電效應就是在這種晶體中發(fā)現(xiàn)的，在一定的溫度范圍之內，壓電性質一直存在，但溫度超過這個范圍之后，壓電性質*消失(這個高溫就是所謂的 “居里點”)。由于隨著應力的變化電場變化微小(也就說壓電系數(shù)比較低)，所以石英逐漸被其他的壓電晶體所替代。